METSO バルブ位置付け機 モデル EJ05 ND9103HN ND9102HN ND9103HN-K1

ND9000 インテリジェント バルブ コントローラー 一般回路電源,外部の電源は必要ありません.回転型および線形バルブに適しています.VDI/VDE 3845 および IEC 60534-6 規格に従ってアクチュエータ接続. 選択されたアクチュエータにフラッシュマウント 動作: ダブルまたはシングルアクティング 移動範囲: 線形; 10~120 mm / 0.4-4.7 回転; 45~95 度. 測定範囲 110° 自由に回転するフィードバックシャフト.環境影響 標準温度範囲: -40° ̇ +85°C / -40° ̇ +185°F 北極気温範囲: -53° ̇ +85°C / -64° ̇ +185° バルブ位置への温度の影響: 0.5 % /10 °K バルブ位置への振動の影響:2g 5~150 Hz で < 1 %, 1g 150~300 Hz, 0.5g 300~2000 Hz 囲い材料: ND9100: 溶解アルミニウム合金とポリマー複合物 ND9200: 溶解アルミニウム合金と硬化ガラス ND9400:ステンレス鋼とポリマー複合物 ND9300: ステンレス鋼 保護級:IP66,ネマ 4x 氣動口:G 1/4 (ND9100) 1/4 NPT (ND9200,ND9300 & ND9400) ケーブル腺糸:M20x1.5 (ND9000) 1/2 NPT (ND9000E2,ND9000U) 重さ: 1.8kg / 4.0lbs (ND9100) 3.4kg / 7.5lbs (ND9200) 5.6kg / 12.4lbs (ND9400) 8.6kg / 19.0lbs (ND9300) メカニカルとデジタル位置指示器がメインカバーを通して見えるND9200E2とND9300には適用されない. 特殊な耐腐蝕設計または不?? 鋼のハウジングは,要求する環境のためのオプションとして利用できます.バルブ位置に対する供給圧力の影響: 入気圧の10%の差で < 0.1% 空気の質:ISO 8573-1 に準拠 固体粒子:クラス5 (フィルタリングは3~5μm推奨) 湿度:クラス1 (最低温度より10°C/18°F下の露点が推奨) オイルクラス: 3 (または < 1ppm) 4bar / 60psi供給の容量: 5.5 Nm3/h / 3.3sqfm (スプーンバルブ2) 12 Nm3/h / 7.1sqfm (スプーンバルブ3) 38 Nm3 /h /22,4 sqfm (スプールバルブ6) 安定状態の状態で4bar / 60psiの供給で消費: <0.6 Nm3/h /0.35 sqfm (スプールバルブ2&3) <1.0 Nm3/h /0.6 sqfm (スプールバルブ6) エレクトロニクス HART 電源:ループ電源, 4 〜 20 mA 最低信号: 3.6 mA 最大電流: 120 mA 負荷電圧:9まで.7 VDC/20 mA (485 Ω に対応する) 電圧:最大30 VDC 極性保護: -30 VDC 超電流保護: 35 mA 以上のアクティブ Profibus PA と FOUNDATION フィールドバス 供給電源:電圧9 〜 32 VDC逆極性保護 最大基本電流: 17.2 mA 静止電流抽出: 16 mA 欠陥電流 (FDE): 3.9 mA FOUNDATION フィールドバスの機能ブロック実行時間 AO 20 ms AI 20 ms PID 20 ms DO 20 ms DI 15 ms IS 15 ms OS 15 ms 中程度の常負荷アクチュエータでのパフォーマンス デッドバンド■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■■ 指示式起動機能 □ LUIは,無許可のアクセスを防止するために遠隔でロックすることができます □ カリブレーション自動/手動線形化 □ 1点校正 □ 制御配置:攻撃的,高速,最適,安定,最大安定性 □ HART バージョン構成:HART 6 または HART 7 □ 制御バルブの配置 □ 回転■ バルブ回転 時計の指針に沿ってまたは時計の指針に反して閉じる □ 死角 □ 低切断,切断安全範囲 (デフォルト2%)直接作用/逆作用 □アクチュエータ型□ バンブタイプ,回転式/線形 □ 言語選択:英語,ドイツ語,フランス語 位置送信機 (オプション) 出力信号: 4×20 mA (電磁隔離; 600 VDC):12V30 VDC解像度: 16ビット/0.244 μA 線性: < 0.05 % FS 温度効果: < 0.35 % FS 外部負荷:内部安全性について最大 0 780 Ω 最大 0 690 Ω Ex ia IIC T6 Ui ≤ 28 V Ex d IIC T4/T5/T6 Ui ≤ 30 V METSO 4 TECHNICAL BULLETIN 11/16 7 ND90 21 EN 承認と電気的値HART証明書承認 電動値 ATEX ND_X VTT 09 ATEX 033X VTT 09 ATEX 034X EN 60079-0: 2009/2012 EN 60079-11: 2012 EN 60079-26: 2007 EN 60079-31: 2008 EN 60079-0: 2009/2012 EN 60079-11:2012 EN 60079-15: 2010 EN 60079-31: 2008 II 1G Ex ia IIC T6...T4 Ga II 1D Ex ta IIIC T90 °C Da II 2 G Ex ib IIC T6...T4 Gb II 2 D Ex tb IIIC T90 °C Db インプット: Ui ≤ 28 V, Ii ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 WCi ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH 出力: Ui ≤ 28 V, Ii ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH,外負荷抵抗 0 ∼ 690 Ω II 3 G Ex nA IIC T6...T4 Gc II 3 D Ex tc IIIC T90 °C Dc 入力: Ui ≤ 30 VIi ≤ 152 mA 輸出する: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA II 3 G Ex ic IIC T6...T4 Gc II 3 D Ex tc IIIC T90 °C Dc 入力: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA, Pmax = デバイス自体の限界, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH.出力: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA,Pmax = 装置自体の制限値, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH,外負荷抵抗 0 ∼780 Ω ND_E1 SIRA 11 ATEX 1006X EN 60079-0:2009 EN 60079-1:2007 EN 60079-31:2009 II 2 G エクストド IIC T6...T4 Gb II 2 D エクストド IIIC T80 °C...T105 °C Db 入力: Ui ≤ 30 V 出力: Ui ≤ 30 V,Pmax = デバイス自体の限界,外負荷抵抗 0 ∼780 Ω IECEx ND_X IECEx VTT 10.0004X IECEx VTT 10.0005X IEC 60079-0: 2007/2011 IEC 60079-11: 2011 IEC 60079-26:2006年 IEC 60079-31: 2008 IEC 60079-0: 2007/2011 IEC 60079-11: 2011 IEC 60079-15: 2010, IEC 60079-31: 2008 Ex ia IIC T6...T4 Ga Ex ta IIIC T90 °C Da Ex ib IIC T6...T4 Gb Ex tb IIIC T90 °C Db インプット: Ui ≤ 28 VIi ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH 出力: Ui ≤ 28 V, Ii ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH,外負荷抵抗 0 ∼ 690 Ω Ex nA IIC T6...T4 Gc Ex tc IIIC T90 °C Dc 入力: Ui ≤ 30 VIi ≤ 152 mA 輸出する: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA Ex ic IIC T6...T4 Gc Ex tc IIIC T90 °C Dc 入力: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA, Pmax = デバイス自体の限界, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH出力: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mAPmax = 装置自体の制限値, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH,外負荷抵抗 0 ∼780 Ω ND_E1 IECEx SIR 11.0001X IEC 60079-0:2011 IEC 60079-1:2007 IEC 60079-31:2008 Ex d IIC T6...T4 Gb Ex tb IIIC T80 °C...T105 °C Db 入力:Ui ≤ 30V 輸出: Ui ≤ 30 V, Pmax = デバイス自体の限界,外負荷抵抗 0 ∼780 Ω INMETRO ND_Z NCC 12.0793 X NCC 12.0794 X ABNT NBR IEC 60079-0:2013 ABNT NBR IEC 60079-11:2009 ABNT NBR IEC 60079-26:2008 (2009) ABNT NBR IEC 60079-27:2010 ABNT NBR IEC 60079-0:2013 ABNT NBR IEC 60079-11:2009 IEC 60079-15:2012 ABNT NBR IEC 60079-27:2010 ABNT NBR IEC 60529:2005 Ex ia IIC T4/T5/T6 Ga Ex ia IIC T4/T5/T6 Gb インプット: Ui ≤ 28 VIi ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH 出力: Ui ≤ 28 V, Ii ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH,外負荷抵抗 0 ∼ 690 Ω. Ex nA IIC T4/T5/T6 Gc 入力: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA 出力:Ui ≤ 30V, Ii ≤ 152 mA Ex ic IIC T4/T5/T6 Gc インプット: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA, Pmax = デバイス自体の限界, Ci